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元件参数资料
>
参数目录40005
> FDMS3660S MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN
型号:
FDMS3660S
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
FDMS3660S PDF
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
2 N 沟道(双)非对称型
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
13A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
8 毫欧 @ 13A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.7V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1765pF @ 15V
功率 - 最大
1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商设备封装
Power56
包装
标准包装
其它名称
FDMS3660SFSDKR
查看FDMS3660S代理商
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